STW14N50 Todos los transistores

 

STW14N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW14N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW14N50 datasheet

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STW14N50

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STW14N50

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STW14N50

STB12NM50FD - STB12NM50FD-1 STP12NM50FD/FP - STW14NM50FD N-channel 500V - 0.32 - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 3 STB12NM50FD 500V

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STW14N50

STB14NM65N, STF14NM65N STI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65N N-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) max 3 2 3 1 2 STI14NM65N 710 V

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History: JCS10N70C | STW15NA50

 

 

 

 

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