Справочник MOSFET. STW14N50

 

STW14N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW14N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW14N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW14N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  1
 sth14n50 sth14n50fi stw14n50.pdf pdf_icon

STW14N50

 ..2. Size:334K  st
 stw14n50.pdf pdf_icon

STW14N50

 8.1. Size:478K  st
 stb12nm50fdt4 stp12nm50fd stw14nm50fd.pdf pdf_icon

STW14N50

STB12NM50FD - STB12NM50FD-1STP12NM50FD/FP - STW14NM50FDN-channel 500V - 0.32 - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID Pw33STB12NM50FD 500V

 8.2. Size:548K  st
 sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stb14nm65n stf14nm65n.pdf pdf_icon

STW14N50

STB14NM65N, STF14NM65NSTI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65NN-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) max32312STI14NM65N 710 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STV60N05-16 , STV60N06 , STV6NA60 , STV7NA40 , STV7NA60 , STV8NA50 , STW12N60 , STW12NA50 , AO4468 , STW15N50 , STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , STW55N10 , STW60N10 , STW75N06 , STW80N05 .

 

 
Back to Top

 


 
.