2302P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2302P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.84 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 3.5 nC
Tiempo de subida (tr): 56 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2302P
2302P Datasheet (PDF)
2302p.pdf
FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.2302PS&CIC1975 N-Channel Trench Power MOSFETDescriptionGeneral DescriptionProduct Summary Trench Power LV MOSFET tech
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