3060K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3060K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de 3060K MOSFET
3060K Datasheet (PDF)
3060k.pdf

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.3060KS&CIC1695 N-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe 3060K uses advanced trench technology to provideexcelle
Otros transistores... F12N65 , .8205A , .8205S , .8205P , 2060K. , 2301P , 2302P , 3050K , IRF830 , 3080K , 3090K , 3415E , 4080K , 6888K , SC8205 , SC8205S , PDNM6ET20V05 .
History: 12P10L-TND-R | 24NM60L-TF2-T | 17P10G-TF3-T | 19N10L-TN3-R | IRF7341G | 1N60G-TM3-T
History: 12P10L-TND-R | 24NM60L-TF2-T | 17P10G-TF3-T | 19N10L-TN3-R | IRF7341G | 1N60G-TM3-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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