3060K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3060K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: TO-252
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3060K datasheet
3060k.pdf
FM , FM WWW.SZLCSC.COM, SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 3060K S&CIC1695 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 3060K uses advanced trench technology to provide excelle
Otros transistores... F12N65 , .8205A , .8205S , .8205P , 2060K. , 2301P , 2302P , 3050K , 2N60 , 3080K , 3090K , 3415E , 4080K , 6888K , SC8205 , SC8205S , PDNM6ET20V05 .
History: WMM13N50C4
History: WMM13N50C4
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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