3060K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3060K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de 3060K MOSFET
3060K Datasheet (PDF)
3060k.pdf

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.3060KS&CIC1695 N-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe 3060K uses advanced trench technology to provideexcelle
Otros transistores... F12N65 , .8205A , .8205S , .8205P , 2060K. , 2301P , 2302P , 3050K , 7N60 , 3080K , 3090K , 3415E , 4080K , 6888K , SC8205 , SC8205S , PDNM6ET20V05 .
History: SMIRF16N65T1TL | FW202 | STI28N60M2 | STW13N80K5 | AONR21311C | AP2535GEY-HF | SWD8N70K
History: SMIRF16N65T1TL | FW202 | STI28N60M2 | STW13N80K5 | AONR21311C | AP2535GEY-HF | SWD8N70K



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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