3060K Todos los transistores

 

3060K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3060K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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3060K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:686K  cn shenzhen fuman elec
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3060K

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.3060KS&CIC1695 N-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe 3060K uses advanced trench technology to provideexcelle

Otros transistores... F12N65 , .8205A , .8205S , .8205P , 2060K. , 2301P , 2302P , 3050K , IRF830 , 3080K , 3090K , 3415E , 4080K , 6888K , SC8205 , SC8205S , PDNM6ET20V05 .

History: SI9945DY | WML80R720S | WMM037N10HGS

 

 
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