3060K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3060K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 26 ns
Выходная емкость (Cd): 230 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-252
3060K Datasheet (PDF)
..1. Size:686K cn shenzhen fuman elec
3060k.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
3060k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.3060KS&CIC1695 N-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe 3060K uses advanced trench technology to provideexcelle
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .