4080K Todos los transistores

 

4080K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 4080K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 52 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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4080K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1092K  cn shenzhen fuman elec
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4080K

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 4080K(S&CIC1774) N-Channel Trench Power MOSFETDescription Features Application 40V,80A Load Switch R =6

 0.1. Size:428K  ncepower
 nce4080k.pdf pdf_icon

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Pb Free ProductNCE4080Khttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4080K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =80A RDS(ON)

 0.2. Size:932K  ncepower
 ncea4080k.pdf pdf_icon

4080K

http://www.ncepower.com NCEA4080KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA4080K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.General Features V =40V,I =80ADS DR

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History: SI3477DV-T1-GE3 | HY1707P | PSMN005-75P | LNG045R055

 

 
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