Справочник MOSFET. 4080K

 

4080K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 4080K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 52 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для 4080K

 

 

4080K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1092K  cn shenzhen fuman elec
 4080k.pdf

4080K 4080K

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 4080K(S&CIC1774) N-Channel Trench Power MOSFETDescription Features Application 40V,80A Load Switch R =6

 0.1. Size:428K  ncepower
 nce4080k.pdf

4080K 4080K

Pb Free ProductNCE4080Khttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4080K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =80A RDS(ON)

 0.2. Size:932K  ncepower
 ncea4080k.pdf

4080K 4080K

http://www.ncepower.com NCEA4080KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA4080K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.General Features V =40V,I =80ADS DR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top