SC8205S Todos los transistores

 

SC8205S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SC8205S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98.48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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SC8205S datasheet

 ..1. Size:328K  cn shenzhen fuman elec
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SC8205S

FM , FM WWW.SZLCSC.COM, SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD. SC8205S ( S&CIC0706) 20V N MOS 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 2 3 4 RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A

 8.1. Size:361K  cn shenzhen fuman elec
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SC8205S

FM , FM WWW.SZLCSC.COM, SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 5 6 SC8205 ( 20V N MOS S&CIC0706) 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A =

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SC8205S

MSC82001 RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS .EMITTER BALLASTED .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .VSWR CAPABILITY @ RATED 1 CONDITIONS .HERMETIC STRIPAC PACKAGE .POUT 1.0 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN = @ 2.0 GHz .250 2LFL (S010) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING MSC82001 82001 PIN CONNECTION DESCRIPTION The MSC82001 is a common base hermetic

 9.2. Size:87K  st
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SC8205S

MSC82010 RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS .EMITTER BALLASTED .VSWR CAPABILITY 1 @ RATED CONDITIONS .HERMETIC STRIPAC PACKAGE .P 10 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN @ OUT = 2.0 GHz .250 2LFL (S010) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING MSC82010 82010 PIN CONNECTION DESCRIPTION The MSC82010 is a common base hermetically sealed silicon NPN microw

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