Справочник MOSFET. SC8205S

 

SC8205S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SC8205S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98.48 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6

 Аналог (замена) для SC8205S

 

 

SC8205S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  cn shenzhen fuman elec
 sc8205s.pdf

SC8205S SC8205S

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.SC8205S (S&CIC0706) 20V N MOS 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET2 3 4RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A

 8.1. Size:361K  cn shenzhen fuman elec
 sc8205.pdf

SC8205S SC8205S

FM,FM WWW.SZLCSC.COM,SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.5 6SC8205 ( 20V N MOS S&CIC0706)20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A =

 9.1. Size:93K  st
 msc82001.pdf

SC8205S SC8205S

MSC82001RF & MICROWAVE TRANSISTORSGENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS.EMITTER BALLASTED.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.VSWR CAPABILITY @ RATED:1CONDITIONS.HERMETIC STRIPAC PACKAGE.POUT 1.0 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN=@ 2.0 GHz.250 2LFL (S010)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGMSC82001 82001PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe MSC82001 is a common base hermetic

 9.2. Size:87K  st
 msc82010.pdf

SC8205S SC8205S

MSC82010RF & MICROWAVE TRANSISTORSGENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS.EMITTER BALLASTED.VSWR CAPABILITY :1 @ RATEDCONDITIONS.HERMETIC STRIPAC PACKAGE.P 10 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN @OUT =2.0 GHz.250 2LFL (S010)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGMSC82010 82010PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe MSC82010 is a common base hermeticallysealed silicon NPN microw

 9.3. Size:84K  st
 msc82005.pdf

SC8205S SC8205S

MSC82005RF & MICROWAVE TRANSISTORSGENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS.EMITTER BALLASTED.VSWR CAPABILITY :1 @ RATEDCONDITIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.HERMETIC STRIPAC PACKAGE.POUT 5.0 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN=@ 2.0 GHz.250 2LFL (S010)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGMSC82005 82005PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe MSC82005 is a common base hermeti

 9.4. Size:85K  st
 msc82040.pdf

SC8205S SC8205S

MSC82040RF & MICROWAVE TRANSISTORSGENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS.EMITTER BALLASTED.CLASS A LINEAR OPERATION.COMMON EMITTER.VSWR CAPABILITY :1 @ RATEDCONDITIONS.ft 1.6 GHz TYPICAL.NOISE FIGURE 15.5 dB @ 2 GHz.230 4L STUD (S027).POUT 27 dBm MIN. @ 1.0 GHz= hermetically sealedORDER CODE BRANDINGMSC82040 82040PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe MSC82040 is a her

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top