PDNM6ET20V05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PDNM6ET20V05
   Código: 6N2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.64 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PDNM6ET20V05

PDNM6ET20V05 Datasheet (PDF)

..1. Size:224K prisemi
pdnm6et20v05.pdf

PDNM6ET20V05 Dual N-Channel, Digital FET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R () I (A) DS DS(on) D20 0.29@ V =4.5V 0.5 GS1 S2 6 S2 D2 D2 5 G2 G1 G2 G1 2 3 4 S1 S1 D1 D1 Circuit Diagram Marking (Top View) Absolute maximum rating@25 Parameter

9.1. Size:118K prisemi
pdnm6ut20v05.pdf

PDNM6UT20V05 Dual N-Channel, Digital FET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 20 0.29@ VGS=4.5V 0.5SOT-363 S2 1 D2 6 G2 2 G1 5 4 S1 3 D1 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 20 VGat

9.2. Size:123K prisemi
pdnm6t20v7e.pdf

PDNM6T20V7E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 16@ VGS=4.5V 7Internal Structure Top View(SOT23-6) D1(D2) S1 6 G1 1 D1(D2) 5 D1(D2)2 G1 G2 4 S2 3 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol M

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