PDNM6ET20V05 Todos los transistores

 

PDNM6ET20V05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDNM6ET20V05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm

Encapsulados: SOT563

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PDNM6ET20V05 datasheet

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PDNM6ET20V05

PDNM6ET20V05 Dual N-Channel, Digital FET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (A) DS DS(on) D 20 0.29@ V =4.5V 0.5 GS 1 S2 6 S2 D2 D2 5 G2 G1 G2 G1 2 3 4 S1 S1 D1 D1 Circuit Diagram Marking (Top View) Absolute maximum rating@25 Parameter

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PDNM6ET20V05

PDNM6UT20V05 Dual N-Channel, Digital FET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 20 0.29@ VGS=4.5V 0.5 SOT-363 S2 1 D2 6 G2 2 G1 5 4 S1 3 D1 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 20 V Gat

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PDNM6ET20V05

PDNM6T20V7E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) 20 16@ VGS=4.5V 7 Internal Structure Top View(SOT23-6) D1(D2) S1 6 G1 1 D1(D2) 5 D1(D2) 2 G1 G2 4 S2 3 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol M

Otros transistores... 3060K , 3080K , 3090K , 3415E , 4080K , 6888K , SC8205 , SC8205S , 7N60 , PNM3FD201E0 , PNM3FD20V1E , PNM523T30V01 , PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , PNMT8N1 .

History: WMM13N50C4

 

 

 

 

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