PPMT2301 Todos los transistores

 

PPMT2301 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPMT2301

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 89 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PPMT2301 datasheet

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PPMT2301

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PPMT2301

PPMT20V4E P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (A) DS DS(on) D G 1 -20 0.037 @ V =-4.5V -4 GS S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage V -20V DS Gate-Source Voltage V 10 V GS Drain Current Contin

 9.2. Size:109K  prisemi
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PPMT2301

PPMT20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) G 1 0.08 @ VGS=-4.5V -20 -2.8 0.11@ VGS=-2.5V S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTE

Otros transistores... PNM3FD201E0 , PNM3FD20V1E , PNM523T30V01 , PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , PNMT8N1 , EMB04N03H , PJ2301-AU , PJA3415AE , PJA3416AE , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 .

History: AP04N60H-HF | DMTH10H010SCT | AGM403DG | IRLU120 | SM4031NHKP | IPA037N08N3 | ME2345A

 

 

 

 

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