PJA3415AE Todos los transistores

 

PJA3415AE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJA3415AE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PJA3415AE datasheet

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PJA3415AE

PPJA3415AE 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -4.3A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.3A

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PJA3415AE

PPJA3415 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -4.0A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.0A

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PJA3415AE

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

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PJA3415AE

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

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