Справочник MOSFET. PJA3415AE

 

PJA3415AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJA3415AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для PJA3415AE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA3415AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  panjit
 pja3415ae.pdf pdf_icon

PJA3415AE

PPJA3415AE 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -4.3A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.3A

 7.1. Size:218K  panjit
 pja3415.pdf pdf_icon

PJA3415AE

PPJA3415 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -4.0A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.0A

 8.1. Size:206K  panjit
 pja3413.pdf pdf_icon

PJA3415AE

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 8.2. Size:206K  panjit
 pja3412.pdf pdf_icon

PJA3415AE

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PNM523T30V01 , PNM723T30V01 , PNMT6N1 , PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , PNMT8N1 , PPMT2301 , PJ2301-AU , 2N7002 , PJA3416AE , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 .

History: BRCS120N03DP | PZ5203QV | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK | FKP253 | PTF8N65 | P8008HVA

 

 
Back to Top

 


 
.