PJA3419 Todos los transistores

 

PJA3419 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJA3419
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

PJA3419 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  panjit
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PJA3419

PPJA3419 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm) Voltage -20 V Current -4.0A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.0A

 8.1. Size:206K  panjit
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PJA3419

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 8.2. Size:206K  panjit
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PJA3419

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

 8.3. Size:202K  panjit
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PJA3419

PPJA3414 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 5.2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.2A

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History: GSM2304S | NTNS3193NZ | WMK80R1K0S | FQU10N20LTU | BLA6H1011-600 | NCEAP60T15G | 2SJ600

 

 
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