PJA3419 - аналоги и даташиты транзистора

 

PJA3419 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PJA3419
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для PJA3419

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA3419 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  panjit
 pja3419.pdf pdf_icon

PJA3419

PPJA3419 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm) Voltage -20 V Current -4.0A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.0A

 8.1. Size:206K  panjit
 pja3413.pdf pdf_icon

PJA3419

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 8.2. Size:206K  panjit
 pja3412.pdf pdf_icon

PJA3419

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

 8.3. Size:202K  panjit
 pja3414.pdf pdf_icon

PJA3419

PPJA3414 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 5.2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PNMT6N1-LB , PNMT6N2 , PNMT8N1 , PPMT2301 , PJ2301-AU , PJA3415AE , PJA3416AE , PJA3417 , 60N06 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 .

History: SST2605 | PDN6911S

 

 
Back to Top

 


 
.