PJA3439 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PJA3439
   Código: A39
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.1 nC
   Tiempo de subida (tr): 19 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 15 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJA3439

PJA3439 Datasheet (PDF)

..1. Size:303K panjit
pja3439.pdf

PPJA3439 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit : inch(mm) Voltage -60 V Current -300mA Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-500mA

8.1. Size:272K panjit
pja3430.pdf

PPJA3430 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A

8.2. Size:200K panjit
pja3434.pdf

PPJA3434 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 750mAVoltage Current Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halo

8.3. Size:227K panjit
pja3431.pdf