PJA3439 Todos los transistores

 

PJA3439 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJA3439

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PJA3439 datasheet

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PJA3439

PPJA3439 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -60 V Current -300mA Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-500mA

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PJA3439

PPJA3430 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A

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PJA3439

PPJA3434 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 750mA Voltage Current Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halo

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PJA3439

PPJA3431 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A

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History: SI3475DV | 2SK3870-01 | SW3N10 | RU8590S | CS10N50A8R | SLD65R380E7C | NTTFS4937NTAG

 

 

 

 

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