PJQ5476AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJQ5476AL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de PJQ5476AL MOSFET
PJQ5476AL Datasheet (PDF)
pjq5476al.pdf
PPJQ5476AL 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DFN5060-8L Voltage 100 V Current 42A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@20A
ppjq5494.pdf
PPJQ5494 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DFN5060-8L 150 V 40A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V, ID@20A
Otros transistores... PJA3416AE , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , IRF740 , PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL .
History: NCE60P10K | BRA4N60 | HYG023N03LR1V | SFB052N85C3 | CEB07N65 | STD30NF06T4 | 2SK4104
History: NCE60P10K | BRA4N60 | HYG023N03LR1V | SFB052N85C3 | CEB07N65 | STD30NF06T4 | 2SK4104
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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