PJQ5476AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJQ5476AL
Código: Q5476AL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJQ5476AL
PJQ5476AL Datasheet (PDF)
..1. Size:441K panjit
pjq5476al.pdf
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PPJQ5476AL 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DFN5060-8L Voltage 100 V Current 42A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@20A
9.1. Size:688K panjit
ppjq5494.pdf
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PPJQ5494 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DFN5060-8L 150 V 40A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V, ID@20A
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