PJQ5476AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJQ5476AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: DFN5060-8L
Аналог (замена) для PJQ5476AL
PJQ5476AL Datasheet (PDF)
..1. Size:441K panjit
pjq5476al.pdf
pjq5476al.pdf
PPJQ5476AL 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DFN5060-8L Voltage 100 V Current 42A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@20A
9.1. Size:688K panjit
ppjq5494.pdf
ppjq5494.pdf
PPJQ5494 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DFN5060-8L 150 V 40A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V, ID@20A
Другие MOSFET... PJA3416AE , PJA3417 , PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , IRF740 , PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL .
History: SD212
History: SD212
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent