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PJX8808 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJX8808
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563

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Principales características: PJX8808

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PJX8808

PPJX8808 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-563 Unit inch(mm) Voltage 20 V Current 500mA Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Hal

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PJX8808

PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit inch(mm) 20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

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PJX8808

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PJX8808

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History: AP2222D | 3N324 | AP25G03GD

 

 
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