PJX8808 Todos los transistores

 

PJX8808 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJX8808
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563
 

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PJX8808 Datasheet (PDF)

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PJX8808

PPJX8808 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-563 Unit : inch(mm) Voltage 20 V Current 500mA Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Hal

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PJX8808

PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

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PJX8808

PPJX8805 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -0.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.5A

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PJX8808

PPJX8803 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.6A

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History: SI7120DN | TPC8104-H | SI4830CDY | ME60N04 | ME80N08AH | HSBA6115 | FDS4936

 

 
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