Справочник MOSFET. PJX8808

 

PJX8808 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJX8808
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для PJX8808

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJX8808 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  panjit
 pjx8808.pdf pdf_icon

PJX8808

PPJX8808 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-563 Unit : inch(mm) Voltage 20 V Current 500mA Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Hal

 8.1. Size:267K  panjit
 pjx8802.pdf pdf_icon

PJX8808

PPJX8802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.2. Size:259K  panjit
 pjx8805.pdf pdf_icon

PJX8808

PPJX8805 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -0.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.5A

 8.3. Size:263K  panjit
 pjx8803.pdf pdf_icon

PJX8808

PPJX8803 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-563 Unit : inch(mm)Voltage -20 V Current -0.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.6A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PJL9418 , PJQ1900 , PJQ5476AL , PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , IRF640 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 .

History: PP1515AF | 2SK1169 | 2SK1159

 

 
Back to Top

 


 
.