PPJQ5494 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PPJQ5494
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de PPJQ5494 MOSFET
PPJQ5494 Datasheet (PDF)
ppjq5494.pdf
PPJQ5494 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DFN5060-8L 150 V 40A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V, ID@20A
Otros transistores... PJS6403 , PJV1702 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , IRF1404 , PPJT7600 , PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 .
History: AP40T03GJ-HF | AP0603GM-HF | AOI4102 | 2N65L-AA3-R | KIA2906A-247 | NCE0260 | SRT10N160LM
History: AP40T03GJ-HF | AP0603GM-HF | AOI4102 | 2N65L-AA3-R | KIA2906A-247 | NCE0260 | SRT10N160LM
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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