Справочник MOSFET. PPJQ5494

 

PPJQ5494 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PPJQ5494
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PPJQ5494 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  panjit
ppjq5494.pdfpdf_icon

PPJQ5494

PPJQ5494 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DFN5060-8L 150 V 40A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V, ID@20A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HY1503C1 | NTMFS4833NA | BRCS100N06BD | IXFK120N65X2 | RQA0004PXDQS | TPC65R260M | 2SK417

 

 
Back to Top

 


 
.