PTF10HN08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTF10HN08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 76 nC
Tiempo de subida (tr): 64 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTF10HN08
PTF10HN08 Datasheet (PDF)
ptf10hn08 pty10hn08.pdf
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ptf10149.pdf
PTF 1014970 Watts, 921960 MHzGOLDMOS Field Effect TransistorDescription INTERNALLY MATCHEDThe PTF 10149 is an internally matched 70watt GOLDMOS FETintended for cellular and GSM amplifier applications from 921 to Performance at 960 MHz, 26 Volts960 MHz. It operates with 50% efficiency and 16 dB typical gain.- Output Power = 70 WattsNitride surface passivation and
ptf10n65.pdf
PTF1 0N6565 0V/1 0A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 0.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above
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