PTN30P03 Todos los transistores

 

PTN30P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTN30P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
 

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PTN30P03 Datasheet (PDF)

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PTN30P03

PTN30P03-30V/-30A P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures BVDSS -30 V - 4.5V Logic Level Control ID -30 A PDFN3333 SMD Package mRDSON@VGS=-10V 9Applications RDSON@VGS=-5V 13 m High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank,Brushless motor, Main board

 9.1. Size:548K  cn puolop
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PTN30P03

PTN3006 30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET Symbol Parameter Condition Min. Typ. Max. Unit Static Electrical Characteristics @ TJ = 25C (unless otherwise stated) Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250A 30 -- -- V V(BR)DSS Zero Gate Voltage Drain current(Tc=25) VDS=24V,VGS=0V -- -- 1 A IDSS Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125) VDS=24V,VGS=0V -- -- 100

Otros transistores... PTY10HN08 , PTF12N65 , PTF13N50 , PTF2N65 , PTF5N65 , PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , 2SK3568 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , PDC2306Z .

History: IPA041N04NG | PMPB48EP | 2N7002TC | BRCS070N03DP | CJQ9435 | 2SK1524

 

 
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