PTN30P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTN30P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 81 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTN30P03

PTN30P03 Datasheet (PDF)

..1. Size:959K cn puolop
ptn30p03.pdf

PTN30P03-30V/-30A P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures BVDSS -30 V - 4.5V Logic Level Control ID -30 A PDFN3333 SMD Package mRDSON@VGS=-10V 9Applications RDSON@VGS=-5V 13 m High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank,Brushless motor, Main board

9.1. Size:548K cn puolop
ptn3006.pdf

PTN3006 30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET Symbol Parameter Condition Min. Typ. Max. Unit Static Electrical Characteristics @ TJ = 25C (unless otherwise stated) Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250A 30 -- -- V V(BR)DSS Zero Gate Voltage Drain current(Tc=25) VDS=24V,VGS=0V -- -- 1 A IDSS Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125) VDS=24V,VGS=0V -- -- 100

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: