PTN30P03 Todos los transistores

 

PTN30P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTN30P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
     - Selección de transistores por parámetros

 

PTN30P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:959K  cn puolop
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PTN30P03

PTN30P03-30V/-30A P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures BVDSS -30 V - 4.5V Logic Level Control ID -30 A PDFN3333 SMD Package mRDSON@VGS=-10V 9Applications RDSON@VGS=-5V 13 m High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank,Brushless motor, Main board

 9.1. Size:548K  cn puolop
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PTN30P03

PTN3006 30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET Symbol Parameter Condition Min. Typ. Max. Unit Static Electrical Characteristics @ TJ = 25C (unless otherwise stated) Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250A 30 -- -- V V(BR)DSS Zero Gate Voltage Drain current(Tc=25) VDS=24V,VGS=0V -- -- 1 A IDSS Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125) VDS=24V,VGS=0V -- -- 100

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MRF5003 | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | AONS36316

 

 
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