PTN30P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTN30P03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTN30P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTN30P03 даташит

 ..1. Size:959K  cn puolop
 ptn30p03.pdf pdf_icon

PTN30P03

PTN30P03 -30V/-30A P-Channel Advanced Power MOSFET Features BVDSS -30 V - 4.5V Logic Level Control ID -30 A PDFN3333 SMD Package m RDSON@VGS=-10V 9 Applications RDSON@VGS=-5V 13 m High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank, Brushless motor, Main board

 9.1. Size:548K  cn puolop
 ptn3006.pdf pdf_icon

PTN30P03

Другие IGBT... PTY10HN08, PTF12N65, PTF13N50, PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65, PTF8N65, PTN3006, 4435, PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06, PTP4N60, PTF4N60, PDB1216E, PDB3010H, PDC2306Z