Справочник MOSFET. PTN30P03

 

PTN30P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTN30P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для PTN30P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTN30P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:959K  cn puolop
 ptn30p03.pdf pdf_icon

PTN30P03

PTN30P03-30V/-30A P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures BVDSS -30 V - 4.5V Logic Level Control ID -30 A PDFN3333 SMD Package mRDSON@VGS=-10V 9Applications RDSON@VGS=-5V 13 m High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank,Brushless motor, Main board

 9.1. Size:548K  cn puolop
 ptn3006.pdf pdf_icon

PTN30P03

PTN3006 30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET Symbol Parameter Condition Min. Typ. Max. Unit Static Electrical Characteristics @ TJ = 25C (unless otherwise stated) Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250A 30 -- -- V V(BR)DSS Zero Gate Voltage Drain current(Tc=25) VDS=24V,VGS=0V -- -- 1 A IDSS Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125) VDS=24V,VGS=0V -- -- 100

Другие MOSFET... PTY10HN08 , PTF12N65 , PTF13N50 , PTF2N65 , PTF5N65 , PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , 2SK3568 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , PDC2306Z .

History: AM50N03-12I | HAT1094C | 2SK2926 | HM85N90 | SPP07N60S5 | 12N65KL-TQ2-R | RJK6024DPD

 

 
Back to Top

 


 
.