STW80N05 Todos los transistores

 

STW80N05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW80N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW80N05 datasheet

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STW80N05

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STW80N05

STW80N06-10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE "ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STW80N06-10 60 V

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STW80N05

STW80NF10 N-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A TO-247 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW80NF10 100 V

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STW80N05

STB80NF55-08T4 STP80NF55-08, STW80NF55-08 N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247 STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 STB80NF55-08T4 55 V

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History: 2SK529 | 3SK122 | 2SK762 | WMK053N10HGS | 3SK144Q | 2SK702 | 3SK169P

 

 

 

 

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