STW80N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW80N05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 5200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STW80N05 Datasheet (PDF)
stw80n06-10.pdf

STW80N06-10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) IDSTW80N06-10 60 V
stw80nf10.pdf

STW80NF10N-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A TO-247LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW80NF10 100 V
stb80nf55-08t4 stp80nf55-08 stw80nf55-08.pdf

STB80NF55-08T4STP80NF55-08, STW80NF55-08N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax3STB80NF55-08T4 55 V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS | 2SK3117
History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS | 2SK3117



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695