Справочник MOSFET. STW80N05

 

STW80N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW80N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW80N05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW80N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  1
 sth80n05 sth80n05fi stw80n05.pdf pdf_icon

STW80N05

 7.1. Size:61K  st
 stw80n06-10.pdf pdf_icon

STW80N05

STW80N06-10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) IDSTW80N06-10 60 V

 8.1. Size:251K  st
 stw80nf10.pdf pdf_icon

STW80N05

STW80NF10N-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A TO-247LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW80NF10 100 V

 8.2. Size:362K  st
 stb80nf55-08t4 stp80nf55-08 stw80nf55-08.pdf pdf_icon

STW80N05

STB80NF55-08T4STP80NF55-08, STW80NF55-08N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax3STB80NF55-08T4 55 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW14N50 , STW15N50 , STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , STW55N10 , STW60N10 , STW75N06 , 20N60 , STW8N80 , STW9NA60 , TA17632 , TA17650 , TA17656 , TA75307 , TA75309 , TA75321 .

 

 
Back to Top

 


 
.