PTP10HN10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP10HN10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 103 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP10HN10
PTP10HN10 Datasheet (PDF)
ptp10hn10.pdf
PTP10HN10100V/100A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 100V/100ARDS(ON)=7.1m (typ.)@ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss High avalanche Current% 100 Avalanche TestedApplication Power SupplyTO-220 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maximum Ratings (T =25C unless otherwise noted)ASy
ptp10n80 pta10n80.pdf
PTP10N80 PTA10N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 800V 1.0 10A RDS(ON),typ.=1.0 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications ATX Power G LCD Panel Power D S G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220 TO-220F
ptp10n40b pta10n40b.pdf
PTP10N40B PTA10N40B 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.45 10A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number
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Liste
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