PTP10HN10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP10HN10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 103 nC
Tiempo de subida (tr): 57 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0088 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP10HN10
PTP10HN10 Datasheet (PDF)
ptp10hn10.pdf
PTP10HN10100V/100A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 100V/100ARDS(ON)=7.1m (typ.)@ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss High avalanche Current% 100 Avalanche TestedApplication Power SupplyTO-220 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maximum Ratings (T =25C unless otherwise noted)ASy
ptp10n80 pta10n80.pdf
PTP10N80 PTA10N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 800V 1.0 10A RDS(ON),typ.=1.0 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications ATX Power G LCD Panel Power D S G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220 TO-220F
ptp10n40b pta10n40b.pdf
PTP10N40B PTA10N40B 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.45 10A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number
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