PTP12HN06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP12HN06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 521 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP12HN06
Principales características: PTP12HN06
ptp12hn06 pty12hn06.pdf
PTP12HN06/PTY12HN06 60V/65AN-ChnnelMOSFET 60V/120A N-Chnnel MOSFET Features 60V/120A A D RDS(ON)=4.2m VGS=10V (typ.)@ V Lead fre en Device A ee and Gree Available Low Rds ductive Loss G s-on to Minimize Cond s High ava urrent alanche Cu S % 100 Avalanche Tested D Application Power Supply G S DC-DC Converters UPS TO-
ptp12n60 pta12n60.pdf
PTP12N60 PTA12N60 600V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 600V 0.55 12A RDS(ON),typ.=0.55 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand
ptp12n65 pta12n65.pdf
PTP12N65 PTA12N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 0.60 12A RDS(ON),typ.=0.60 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand
Otros transistores... PTF13N50 , PTF2N65 , PTF5N65 , PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , SKD502T , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , PDC2306Z , PDC2603Z , PDC2604Z .
History: VBZ7001 | ZVN4424ASTOA | PSMN5R2-60YL | SIHG30N60E
History: VBZ7001 | ZVN4424ASTOA | PSMN5R2-60YL | SIHG30N60E
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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