PDK3908 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PDK3908
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PDK3908

PDK3908 Datasheet (PDF)

..1. Size:876K potens
pdk3908.pdf

30V N-Channel MOSFETs PDK3908 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 15.5m 7.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V, 7.5A, RDS(ON)=15.5m@VGS = 10V performance, and withstand high

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History: OSG60R108HZF

Liste

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