PDN3612S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDN3612S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-3S
Búsqueda de reemplazo de PDN3612S MOSFET
PDN3612S Datasheet (PDF)
pdn3612s.pdf

30V N-Channel MOSFETs PDN3612S General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 32m 5.3A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V, 5.3 A, RDS(ON) =32m@VGS = 4.5V performance, and withstand high
pdn3611s.pdf

30V P-Channel MOSFETs PDN3611S General Description BVDSS RDSON IDThese P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 65m -4.1A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-4.1A, RDS(ON) =65m@VGS = -10V performance, and withstand hig
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History: RCX510N25
History: RCX510N25



Liste
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