PDS3807 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDS3807
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de PDS3807 MOSFET
PDS3807 Datasheet (PDF)
pds3807.pdf
30V P-Channel MOSFETs PDS3807 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 23m -7A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-7A, RDS(ON) =23m@VGS = -10V performance, and withstand high ene
pds3812.pdf
30V Dual N-Channel MOSFETs PDS3812 General Description BVDSS RDSON IDThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 20m 7.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,7.5A, RDS(ON) =20m @VGS = 10V performance, and withstand hig
Otros transistores... PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , AO4407A , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 .
History: PDS4906 | IRLML6344GT | VB7638 | UM6J1N | HIRF730
History: PDS4906 | IRLML6344GT | VB7638 | UM6J1N | HIRF730
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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