PDS3807 Todos los transistores

 

PDS3807 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDS3807
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PDS3807 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  potens
 pds3807.pdf pdf_icon

PDS3807

30V P-Channel MOSFETs PDS3807 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 23m -7A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-7A, RDS(ON) =23m@VGS = -10V performance, and withstand high ene

 9.1. Size:387K  potens
 pds3812.pdf pdf_icon

PDS3807

30V Dual N-Channel MOSFETs PDS3812 General Description BVDSS RDSON IDThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 20m 7.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,7.5A, RDS(ON) =20m @VGS = 10V performance, and withstand hig

Otros transistores... PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , AO3407 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 .

History: MSU1N60T | IPA037N08N3 | R6020FNJ

 

 
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