PTP80N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP80N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO220
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PTP80N06 datasheet
ptp80n06 pty80n06.pdf
PTP80N06/PTY80N06 60V/80A N-Chnnel MOSFET Features D 60V/80A RDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche Tested D Application G S Power Supply TO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim
ptp80n60 pty80n60.pdf
PTP80N60/PTY80N60 60V/80A N-Chnnel MOSFET Features D 60V/80A RDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche Tested D Application G S Power Supply TO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim
Otros transistores... PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , IRFP460 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 .
History: WMS04N10T1 | 2SK2161 | 2SK1837 | KP214A9
History: WMS04N10T1 | 2SK2161 | 2SK1837 | KP214A9
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