Справочник MOSFET. PTP80N06

 

PTP80N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP80N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для PTP80N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP80N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3655K  cn puolop
 ptp80n06 pty80n06.pdf pdf_icon

PTP80N06

PTP80N06/PTY80N0660V/80A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 60V/80ARDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche TestedDApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

 8.1. Size:3376K  cn puolop
 ptp80n60 pty80n60.pdf pdf_icon

PTP80N06

PTP80N60/PTY80N6060V/80A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 60V/80ARDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche TestedDApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

Другие MOSFET... PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , IRF640 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 .

History: IRF1704

 

 
Back to Top

 


 
.