PTP90N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP90N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de PTP90N08 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PTP90N08 datasheet
ptp90n08 pty90n08.pdf
PTP90N08/PTY90N08 80V/90A N-Chnnel MOSFET Features D 80V/90A RDS(ON)=6.5m (typ.)@ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current D % 100 Avalanche Tested Application G S G D S Power Supply TO-220F TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme e Absolute Maximum Ratings (T
Otros transistores... PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , IRF640N , PTY90N08 , PTQ45P02 , PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 .
History: JMSL0307AG | SVF840D | H4N65U
History: JMSL0307AG | SVF840D | H4N65U
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g
