PTP90N08 Todos los transistores

 

PTP90N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTP90N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 76 nC
   Tiempo de subida (tr): 64 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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PTP90N08 Datasheet (PDF)

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ptp90n08 pty90n08.pdf

PTP90N08
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PTP90N08/PTY90N0880V/90A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 80V/90ARDS(ON)=6.5m (typ.)@ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive LossS High avalanche CurrentD% 100 Avalanche TestedApplicationG SG D S Power SupplyTO-220F TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme eAbsolute Maximum Ratings (T

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