PTQ45P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTQ45P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 577 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTQ45P02

PTQ45P02 Datasheet (PDF)

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ptq45p02.pdf

PTQ4 5P02-20V/-4 5A P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures BVDSS -20 V - 1.8V Logic Level Control ID -45 A PDFN3333 SMD Package mRDSON@VGS=-4.5V 9Applications RDSON@VGS=-2.5V m12 High Side Load Switch RDSON@VGS=-1.8V m Battery Switch 16 Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank,

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Liste

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