PTQ45P02 Todos los transistores

 

PTQ45P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTQ45P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 577 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PTQ45P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1625K  cn puolop
 ptq45p02.pdf pdf_icon

PTQ45P02

PTQ4 5P02-20V/-4 5A P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures BVDSS -20 V - 1.8V Logic Level Control ID -45 A PDFN3333 SMD Package mRDSON@VGS=-4.5V 9Applications RDSON@VGS=-2.5V m12 High Side Load Switch RDSON@VGS=-1.8V m Battery Switch 16 Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank,

Otros transistores... PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , IRF3710 , PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A .

 

 
Back to Top

 


 
.