PTQ45P02 Todos los transistores

 

PTQ45P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTQ45P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 577 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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PTQ45P02 datasheet

 ..1. Size:1625K  cn puolop
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PTQ45P02

PTQ4 5P02 -20V/-4 5A P-Channel Advanced Power MOSFET Features BVDSS -20 V - 1.8V Logic Level Control ID -45 A PDFN3333 SMD Package m RDSON@VGS=-4.5V 9 Applications RDSON@VGS=-2.5V m 12 High Side Load Switch RDSON@VGS=-1.8V m Battery Switch 16 Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank,

Otros transistores... PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , AO3400 , PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A .

History: DMP4015SSS | DN3765 | 2SK1736

 

 

 

 

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