PTS4803 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTS4803
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOP8
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PTS4803 datasheet
pts4803.pdf
PTS4803 -30V/-5.8A Dual P-Channel Advanced Power MOSFET Features Key Items PMOS Unit Low RDS(on) @VGS=-5V BVDSS -30 V 5V Logic Level Control ID -5.8 A Dual P-Channel SOP8 Package RDSON1@Vgs=-4.5V 50 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON2@vgs=-2.5V 70 m Applications The PTS4803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate c
pts4842.pdf
PTS4842 30V/7.7A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Pin Description Features BVDSS 30V, RDS(ON)=21m (Typ)@VGS=10V Low On-Resistance Fast Switching Lead-Free,Hg-Free, Green Product PTS4 PTS4 PTS4842 designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. And fast switching speed and improved transfer effective . These features
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