SK07N65B-TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SK07N65B-TF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SK07N65B-TF MOSFET
SK07N65B-TF Datasheet (PDF)
sk07n65b.pdf

SK07N65B650V N-ch Planar MOSFET BVDSS RDS(ON),Typ. ID General Features 650V 1.2 7.0A RoHS Compliant RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-252 Part Number PackageSK07N65B TO-252 Absolute Maximum Ratings =25 unle
Otros transistores... PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 , SK04N65B , SK07N65B , K3569 , SK2300A , SK2301A , SK2301AA , SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 .
History: RD06HHF1 | IRFBC30APBF | SSF26NS60 | WMO80P04TS | CJAC13TH06 | RD07MVS2 | IPP041N12N3G
History: RD06HHF1 | IRFBC30APBF | SSF26NS60 | WMO80P04TS | CJAC13TH06 | RD07MVS2 | IPP041N12N3G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934