SK07N65B-TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SK07N65B-TF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SK07N65B-TF MOSFET
SK07N65B-TF Datasheet (PDF)
sk07n65b.pdf

SK07N65B650V N-ch Planar MOSFET BVDSS RDS(ON),Typ. ID General Features 650V 1.2 7.0A RoHS Compliant RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-252 Part Number PackageSK07N65B TO-252 Absolute Maximum Ratings =25 unle
Otros transistores... PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 , SK04N65B , SK07N65B , K3569 , SK2300A , SK2301A , SK2301AA , SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 .
History: WSF35P06 | SI5N60L-TA3-T | RD07MVS2 | NTP8G206N | IRFB4310 | IPLK60R600PFD7 | STH185N10F3-2
History: WSF35P06 | SI5N60L-TA3-T | RD07MVS2 | NTP8G206N | IRFB4310 | IPLK60R600PFD7 | STH185N10F3-2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
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