SK07N65B-TF - описание и поиск аналогов

 

SK07N65B-TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SK07N65B-TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SK07N65B-TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SK07N65B-TF даташит

 ..1. Size:1044K  cn shikues
 sk07n65b-tf.pdf pdf_icon

SK07N65B-TF

 6.1. Size:972K  cn shikues
 sk07n65b.pdf pdf_icon

SK07N65B-TF

SK07N65B 650V N-ch Planar MOSFET BVDSS RDS(ON),Typ. ID General Features 650V 1.2 7.0A RoHS Compliant RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-252 Part Number Package SK07N65B TO-252 Absolute Maximum Ratings =25 unle

Другие MOSFET... PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 , SK04N65B , SK07N65B , IRF9540 , SK2300A , SK2301A , SK2301AA , SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 .

History: WMR07P03TS | AP3C023AMT | APT5030BN | RW1E025RP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.