SWI088R06VT Todos los transistores

 

SWI088R06VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWI088R06VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 132 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 207 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: TO-251

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SWI088R06VT datasheet

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SWI088R06VT

SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 SOP-8 BVDSS 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V ID 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m )@VGS=10V 7 8 RDS(ON) 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m @VGS=10V 1 100% A

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SWI088R06VT

SW088R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V ID 40A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 9.2m )@VGS=10V 2 7 RDS(ON) 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 6 3 5 4 Improved dv/dt Capability 9.2m @VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Applicati

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SWI088R06VT

SW085R06VS N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features TO-251 BVDSS 60V High ruggedness ID 85A Low RDS(ON) (Typ 13m )@VGS=4.5V (Typ 9m )@VGS=10V RDS(ON) 13m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 19nC) 9m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Inverter 1.

Otros transistores... SWB038R10ES , SWP038R10ES , SWT038R10ES , SWH055R03VT , SWHA055R03VT , SWB075R06ET , SWP075R06ET , SWK088R06VT , SI2302 , SWD088R06VT , SWHA088R06VT , SWU10N70D , SWF10N70K , SWD10N70K , SWF12N65D , SWU12N65D , SWP12N65D .

History: RV1C002UN | HCF65R550

 

 

 

 

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