SWU10N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWU10N70D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de SWU10N70D MOSFET
SWU10N70D Datasheet (PDF)
sw10n70d swu10n70d.pdf

SW10N70D N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features TO-262 BVDSS : 700V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:LED, Charge, TV-Power 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power M
swu10n70d.pdf

SW10N70D N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features TO-262 BVDSS : 700V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:LED, Charger, TV-Power 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf

SW10N65DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-262 TO-262NTO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220BVDSS : 650V High ruggednessID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC)RDS(ON) : 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application: UPS,Inverter, 1 112 2 1 1 1
swp10n65k swf10n65k swn10n65k swd10n65k swu10n65k swmn10n65k.pdf

SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) :0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio
Otros transistores... SWH055R03VT , SWHA055R03VT , SWB075R06ET , SWP075R06ET , SWK088R06VT , SWI088R06VT , SWD088R06VT , SWHA088R06VT , 2N60 , SWF10N70K , SWD10N70K , SWF12N65D , SWU12N65D , SWP12N65D , SWB12N65D , SWF12N70D , SWU12N70D .



Liste
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