SWU10N70D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SWU10N70D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для SWU10N70D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SWU10N70D даташит
sw10n70d swu10n70d.pdf
SW10N70D N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features TO-262 BVDSS 700V ID 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application LED, Charge, TV-Power 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power M
swu10n70d.pdf
SW10N70D N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features TO-262 BVDSS 700V ID 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application LED, Charger, TV-Power 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf
SW10N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-262 TO-262N TO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220 BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC) RDS(ON) 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 Application UPS,Inverter, 1 1 1 2 2 1 1 1
swp10n65k swf10n65k swn10n65k swd10n65k swu10n65k swmn10n65k.pdf
SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36 )@VGS=10V RDS(ON) 0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio
Другие MOSFET... SWH055R03VT , SWHA055R03VT , SWB075R06ET , SWP075R06ET , SWK088R06VT , SWI088R06VT , SWD088R06VT , SWHA088R06VT , 20N50 , SWF10N70K , SWD10N70K , SWF12N65D , SWU12N65D , SWP12N65D , SWB12N65D , SWF12N70D , SWU12N70D .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout





