TN0104N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TN0104N8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.63 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TN0104N8

TN0104N8 Datasheet (PDF)

8.1. Size:730K supertex
tn0104.pdf

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9.1. Size:602K supertex
tn0106.pdf

Supertex inc. TN0106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETGeneral DescriptionFeaturesThis low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low threshold - 2.0V max.transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance - 50pF typicalcombination produces a

9.2. Size:163K ape
ap10tn010cmt.pdf

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Liste

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