SWD10N70K Todos los transistores

 

SWD10N70K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD10N70K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWD10N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  samwin
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SWD10N70K

SW10N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-252 BVDSS : 700V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) : 0.36 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application:Charger,LED,TV-Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General D

 ..2. Size:946K  samwin
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SWD10N70K

SW10N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-252 BVDSS : 700V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) : 0.36 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application:Charge,LED,TV-Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General De

 8.1. Size:1355K  samwin
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SWD10N70K

SW10N50K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-247/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-247 TO-251N TO-252 BVDSS : 500V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.26)@VGS=10V RDS(ON) : 0.26 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 Application:LED, PC Power, Cha

 8.2. Size:820K  samwin
 swf10n80k2 swn10n80k2 swd10n80k2.pdf pdf_icon

SWD10N70K

SW10N80K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS : 800V Features ID : 10A High ruggedness RDS(ON) : 0.58 Low RDS(ON) (Typ 0.58)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 27nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application:LED,Charger,PC Power 1. Gate 2. Drain

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History: 6N60Z | MTN50N06E3 | SM3116NAF | APT6010B2LL | IPI051N15N5 | SSFT4004 | CPC3730

 

 
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