SWY12N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWY12N70D
   Código: SW12N70D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 37.9 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 47 nC
   Tiempo de subida (tr): 43 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 154 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.87 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

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SWY12N70D Datasheet (PDF)

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sw12n70d swf12n70d swu12n70d swmn12n70d swy12n70d.pdf

SW12N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220SF/TO-220FT MOSFET TO-220FT TO-220SF Features TO-220F TO-262 BVDSS : 700V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V RDS(ON) : 0.75 Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 3 3 3 Application:LED, PC Power, Char

..2. Size:997K samwin
swf12n70d swu12n70d swmn12n70d swy12n70d.pdf

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swmn12n65d swy12n65d.pdf

SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220SF/TO-220FT MOSFET TO-220SF TO-220FT BVDSS : 650V Features ID : 12A High ruggedness RDS(ON) : 0.66 Low RDS(ON) (Typ 0.66)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 41nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 3 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source

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