SWD15P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD15P02
   Código: SW15P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 91 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD15P02

SWD15P02 Datasheet (PDF)

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swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID : -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m)@VGS=-10V RDS(ON) : 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

..2. Size:997K samwin
sw15p02 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf

9.1. Size:1002K samwin
swmn15n65j swd15n65j.pdf

SW15N65JN-channel Enhanced mode TO-220SF/TO-252 MOSFETFeaturesTO-220SF TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 15A Low RDS(ON) (Typ 0.22)@VGS=10VRDS(ON) : 0.22 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1122 Application:LED , Charger, PC Power 3311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral DescriptionThis p

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Liste

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