SWF16N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWF16N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SWF16N65D datasheet
sw16n65d swf16n65d.pdf
SW16N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.46 )@VGS=10V ID 16A Low Gate Charge (Typ 68nC) RDS(ON) 0.46 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application Charger, Adaptor, LED 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power MOSFET is produce
swf16n65d.pdf
SW16N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.46 )@VGS=10V ID 16A Low Gate Charge (Typ 68nC) RDS(ON) 0.46 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application Charger, Adaptor, LED 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power MOSFET is produce
sw16n65k swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdf
SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS 650V ID 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23 )@VGS=10V RDS(ON) 0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source
swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdf
SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS 650V ID 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23 )@VGS=10V RDS(ON) 0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source
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