SWK350R06VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWK350R06VT
Código: SW350R06VT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 21 nC
Tiempo de subida (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWK350R06VT
SWK350R06VT Datasheet (PDF)
swk350r06vt.pdf
SW350R06VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET SOP8 BVDSS : 60V Features 5 ID : 5A 6 7 8 RDS(ON) : 38m@VGS=4.5V High ruggedness 4 3 Low RDS(ON) (Typ 38m)@VGS=4.5V 2 33m@VGS=10V 1 (Typ 33m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 21nC) D Improved dv/dt Capability 4.Gate 5,6,7,8.Drain 1,2,3.Source 100% Avalanche Tested G A
sw350r06vt swk350r06vt swi350r06vt swd350r06vt.pdf
SW350R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252 MOSFET Features SOP-8 TO-251 TO-252 BVDSS : 60V High ruggedness 5 SOP8 ID : 5A 6 SOP-8 Low RDS(ON) 7 8 RDS(ON) : 38m@VGS=4.5V (Typ 38m)@VGS=4.5V 4 3 (Typ 33m)@VGS=10V 2 33m@VGS=10V 1 TO-251&TO-252 Low RDS(ON) 1 1 2 2 (Typ 37m)@VGS=4.5V TO-251 & TO-252 ID : 24A 3
swk350r06vt swi350r06vt swd350r06vt.pdf
SW350R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252 MOSFET Features SOP-8 TO-251 TO-252 BVDSS : 60V High ruggedness 5 SOP8 ID : 5A 6 SOP-8 Low RDS(ON) 7 8 RDS(ON) : 38m@VGS=4.5V (Typ 38m)@VGS=4.5V 4 3 (Typ 33m)@VGS=10V 2 33m@VGS=10V 1 TO-251&TO-252 Low RDS(ON) 1 1 2 2 (Typ 37m)@VGS=4.5V TO-251 & TO-252 ID : 24A 3
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
