ZDM4206N Todos los transistores

 

ZDM4206N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZDM4206N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SM8
     - Selección de transistores por parámetros

 

ZDM4206N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  diodes
 zdm4206n.pdf pdf_icon

ZDM4206N

SM-8 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTZDM4206NMODE AVALANCHE RATED MOSFETISSUE 1 - NOVEMBER 1995D1 G1D1 S1D2 G2D2 S2SM-8 PARTMARKING DETAIL M4206N (8 LEAD SOT223)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 1APulsed Drain Current IDM 8AGate-Source Voltage VGS 20 VContinu

Otros transistores... TA75329 , TA75333 , TA75339 , TN0104N3 , TN0104N8 , VN10LF , VN10LP , VN2222LL , IRF9540 , ZDM4306N , ZVN0120A , ZVN0124A , ZVN0540A , ZVN0545A , ZVN0545G , ZVN1409A , ZVN2106A .

History: NTA4001NT1 | AON3806 | SSW3N80A | SSG4394N | HUF75623P3 | FK4B0110 | STS4DPF30L

 

 
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