ZDM4206N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ZDM4206N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: SM8
Аналог (замена) для ZDM4206N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ZDM4206N даташит
zdm4206n.pdf
SM-8 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT ZDM4206N MODE AVALANCHE RATED MOSFET ISSUE 1 - NOVEMBER 1995 D 1 G 1 D 1 S 1 D 2 G 2 D 2 S 2 SM-8 PARTMARKING DETAIL M4206N (8 LEAD SOT223) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 60 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 1A Pulsed Drain Current IDM 8A Gate-Source Voltage VGS 20 V Continu
Другие MOSFET... TA75329 , TA75333 , TA75339 , TN0104N3 , TN0104N8 , VN10LF , VN10LP , VN2222LL , IRFB4115 , ZDM4306N , ZVN0120A , ZVN0124A , ZVN0540A , ZVN0545A , ZVN0545G , ZVN1409A , ZVN2106A .
History: 2SK758
History: 2SK758
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210

