Справочник MOSFET. ZDM4206N

 

ZDM4206N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZDM4206N
   Маркировка: M4206N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SM8
 

 Аналог (замена) для ZDM4206N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZDM4206N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  diodes
 zdm4206n.pdf pdf_icon

ZDM4206N

SM-8 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTZDM4206NMODE AVALANCHE RATED MOSFETISSUE 1 - NOVEMBER 1995D1 G1D1 S1D2 G2D2 S2SM-8 PARTMARKING DETAIL M4206N (8 LEAD SOT223)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 1APulsed Drain Current IDM 8AGate-Source Voltage VGS 20 VContinu

Другие MOSFET... TA75329 , TA75333 , TA75339 , TN0104N3 , TN0104N8 , VN10LF , VN10LP , VN2222LL , IRFP250N , ZDM4306N , ZVN0120A , ZVN0124A , ZVN0540A , ZVN0545A , ZVN0545G , ZVN1409A , ZVN2106A .

History: IRF7807

 

 
Back to Top

 


 
.